多結晶シリコンを作るために、金属シリコンを塩酸（HCI）に溶かしてトリクロロシラン（SiHCI₃）を精製、高純度化します。
さらに、SiHCI₃と超高純度の水素（H₂）を反応器（ベルジャー）で反応させ棒状の多結晶|シリコンを析出・成長させます。

単結晶のSiインゴットは、大きく分けてCZ法（Czochralski法＝チョクラルスキー法）とFZ法(Floating Zone法＝浮遊帯法）があります。
どちらもアルゴンガス中で単結晶を成長させシリコン単結晶インゴットを製造します。

シリコン酸化膜の形成には、「熱酸化法」、「ドライO₂酸化法」、「ウエットO₂酸化法」、H₂ガスと O₂ガスを外部で燃焼し水蒸気にして供給する「パイロジェニック酸化法」、N₂ガスとO₂ガスに塩酸 （HCI）ガスを添加した「塩酸酸化法」等があります。

シラン（SiH₄）とアンモニア（NH₃）のガスを高温で化学反応させ、シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を堆積させます。

リソグラフィは、シリコンウエハーの表面にフォトレジスト（感光剤）を塗布し、フォトマスクを通して露光機で光を当て、フォトマスクの回路パターンを転写します。
露光したウェハーは剥離剤で余分な部分のレジストを除去します。

CVD法（Chemical Vapor Deposition）は、材料ガス（成膜原料ガス）を反応炉（チャンバー）で化学反応させ、ウエハー上に新しい膜を堆積する技術です。

PVD（Physical Vapor Deposition）は、真空チャンバー内のターゲットにプラズマ中で発生したアルゴン（Ar）イオンを衝突させ、飛び出たターゲット原子をウエハー上に堆積させる成膜技術です。

エピタキシャル（気相成長法）は、単結晶の基板の上に、新しく結晶を成長させる技術です。
製造する基板に応じて様々なガスを材料として使用します。

半導体を効率よく稼働させるため、意図的に微量の不純物元素をウエハーに入れる技術です。
ドーピングとも呼ばれ、ドーピングに使用するガスをドープガスと言います。

不純物元素をウエハーに導入する技術の一つ、不純物になる原子をイオン化し、十分な加速エネルギーを与えて、シリコン結晶に打ち込む方法。

エッチングは、薬液やガスの腐食作用で半導体の回路を形成する技術です。
エッチングにはドライ式とウエット式の2つがあります。

CMP（Chemical Mechanical Polishing）は、ウエハー表面の平坦化仕上げをする研磨技術です。
CMP後は洗浄が必要で、洗浄の目的に応じて様々な薬液と方法があります。