①電子の発生
紫外線（UV）の照射によりサンプルより電子（ⓔ）が放出されます。 電圧が印可されたサプレッサグリッド（Gs）により電場が作られ、電子はオープン カウンターへと向かいます。

図の記号：以下同じ
A : アノード　Gs：サプレッサグリッド　ⓔ：電子
Gq：クエンチンググリッド　　UV：紫外線

Fig.4

②酸素をキャリアとした電子の移動
電子は酸素（O₂）に付着し、酸素負イオンとなり、 オープンカウンターにドリフトします。グリッド（Gs，Gq）を通過し、高電圧が 印可された、アノード（A）へと運ばれます。電子はアノード近傍の不平等電界により 酸素分子から引き離されます。

Fig.5

③電子なだれによる電子の検出
電子は不平等電界で加速され周囲分子に衝突してイオン 化する『電子なだれ（放電現象）』を引き起こします。発生した多数の電子（※）は アノードにより放電パルス信号として検出されます。検出された信号はプリアンプ により増幅されます。

※電子なだれにより、1個の電子は10⁵～10⁷個に増幅されます。

Fig.6

④電子なだれの消滅（クエンチング）
電子なだれは、電子と同数の陽イオンを生成し、陽イオンは、電子の検出を妨害します。
そこで、電子パルスの検出後、グリッドの電圧を変化させて、電子なだれによる陽イオン生成を停止させます。
さらにサプレッサグリッドの電圧を変化させて、陽イオンを捕獲・消滅するとともに、クエンチング中に電子が検知部内へ侵入すること防ぎます。
この電子なだれを停止・消滅させる過程を"クエンチング"と呼びます。
クエンチング開始から3ms後、初期状態へと戻します。

オープンカウンターは、①～④を繰り返して、光電子を一つひとつ計数します。

Fig.7